企业简介
本公司主要经营 芯片等。公司秉承“顾客上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！
武汉新芯集成电路制造有限公司的工商信息
- 420100000047585
- 91420100783194808R
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 2006年04月21日
- 杨道虹
- 555700.000000
- 2006年04月21日 至 2056年04月20日
- 武汉东湖新技术开发区市场监督管理局
- 2018年01月24日
- 武汉市东湖开发区高新四路18号
- 集成电路及相关产品的生产、研发、设计、销售；货物进出口、代理进出口、技术进出口。（国家禁止或限制的货物或技术除外）
武汉新芯集成电路制造有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | http://www.xmcwh.com/ |
| 网站 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | www.xmcwh.com/ |
| 网站 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | www.xmcwh.com/xmcwh_ch |
| 网站 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | www.xmcwh.com |
武汉新芯集成电路制造有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 16732095 |  |
新芯 | 2015-04-16 | 研磨抛光；碾磨加工；研磨；定做材料装配（替他人）；层压 | 查看详情 |
| 2 | 16733617 |  |
XMC | 2015-04-16 | CD盘（只读存储器）；软盘；磁盘；USB闪存盘；智能卡（集成电路卡）；集成电路卡；微处理机；磁性身份识别卡；已录制的计算机程序（程序）；计算机存储装置；数据处理设备；光盘；中央处理器（CPU）；传感器；电阻器；电容器；电位器；电磁线圈；晶体管（电子）；半导体器件；电子芯片；芯片（集成电路）；集成电路；集成电路用晶片；半导体 | 查看详情 |
| 3 | 16733213 |  |
图形 | 2015-04-16 | 科学实验室服务；科学研究；技术项目研究；替他人研究和开发新产品；技术研究；材料测试；信息技术咨询服务；计算机硬件设计和开发咨询；计算机软件咨询；计算机软件设计；计算机编程 | 查看详情 |
| 4 | 12113582 |  |
XMC | 2013-01-28 | 半导体；集成电路用晶片；单晶硅 | 查看详情 |
| 5 | 16732784 |  |
XMC | 2015-04-16 | 定做材料装配（替他人）；研磨；层压；碾磨加工；研磨抛光 | 查看详情 |
| 6 | 12490174 |  |
XMC | 2013-04-25 | 半导体;集成电路用晶片;单晶硅; | 查看详情 |
| 7 | 16731927 |  |
新芯 | 2015-04-16 | 数据处理设备；计算机存储装置；已录制的计算机程序（程序）；磁性身份识别卡；光盘；中央处理器（CPU）；USB闪存盘；微处理机；集成电路卡；智能卡（集成电路卡）；CD盘（只读存储器）；软盘；磁盘；半导体；电位器；传感器；电阻器；电容器；芯片（集成电路）；电子芯片；半导体器件；电磁线圈；晶体管（电子）；集成电路；集成电路用晶片 | 查看详情 |
武汉新芯集成电路制造有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106229284A | 一种点阵式控温静电吸附盘 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种点阵式控温静电吸附盘，包括静电吸附盘体、冷却管、温控回路和温度控制器，所述冷却管设有多 |
| 2 | CN105977256A | 一种DRAM 器件的制备方法 | 2016.09.28 | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及本实施例提供的一种DRAM器件的制备方法，主要是通过形成三维立体的 |
| 3 | CN106024700A | 改善三维NAND沟道填充的方法 | 2016.10.12 | 本发明涉及三维NAND的制造领域，尤其涉及一种改善三维NAND沟道填充的方法。一种改善三维NAND沟 |
| 4 | CN106024591A | 介质薄膜的形成方法 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种介质薄膜的形成方法，包括如下步骤：提供一键合晶圆，所述键合晶圆由第一晶圆的第一面与第 |
| 5 | CN105977167A | 一种晶圆制程的金属连线工艺 | 2016.09.28 | 本发明涉及晶圆制造领域，尤其涉及一种晶圆制程的金属连线工艺，在第一金属层上依次沉积氮化硅层和二氧化硅 |
| 6 | CN105807556A | 版图的修正方法 | 2016.07.27 | 本发明提供一种版图的修正方法，以及测试版图的修正方法，并进一步的根据所述测试版图的修正方法，还提供一 |
| 7 | CN103926266B | 一种半导体结构的失效分析方法 | 2016.07.06 | 本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构 |
| 8 | CN106231696A | 一种加热装置及加热方法 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种加热装置，包括LED芯片、导热带、温度传感器和温度控制器，所述LED芯片设有多个，多个 |
| 9 | CN104020408B | 存储芯片位线失效分析方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种存储芯片位线失效分析方法，具体包括如下步骤：提供一待测存储芯片；研磨所述待测存储芯片以 |
| 10 | CN105674921A | 一种沟道孔的测量方法 | 2016.06.15 | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构中各膜层中沟道孔尺寸的测量方法，首先根据沟道孔的排列方式 |
| 11 | CN205380084U | 一种组合式清洁用具 | 2016.07.13 | 本实用新型涉及一种组合式清洁用具，包括手柄、延长机构和清洁配件；所述清洁配件包括相对独立的扫把、耙和 |
| 12 | CN105914141A | 一种形成栅极沟道的方法及对应的半导体结构 | 2016.08.31 | 本发明涉及三维器件制作领域，尤其涉及一种形成栅极沟道的方法及对应的半导体结构，通过在堆栈结构中预埋对 |
| 13 | CN205319131U | 一种防止键合机台滑片的装置 | 2016.06.15 | 本实用新型涉及一种防止键合机台滑片的装置，包括键合机台上进行键合的硅片和键合台面，所述硅片和键合台面 |
| 14 | CN103700603B | 一种钨接触栓塞高阻的检测方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种钨接触栓塞高阻的检测方法。包括以下步骤：将半导体样品研磨至钨栓塞接触层；在所述半导体样 |
| 15 | CN105957817A | 一种晶圆键合方法 | 2016.09.21 | 本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；提供一负压环境，将所述第一晶圆与所述第二晶 |
| 16 | CN103531440B | 一种晶圆背面的表面修复方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种晶圆背面的表面修复方法，首先将晶圆放入惰性气体（如Ar）和氧气的混合气体环境中，氧气与 |
| 17 | CN205452253U | 一种智能FOUP | 2016.08.10 | 本实用新型涉及一种智能FOUP，包括FOUP主体、显示屏、CPU处理器、压力传感器、图像传感器、通信 |
| 18 | CN106251907A | 内建自测系统及方法 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种内建自测系统及方法，将控制器设置在测试板上，不用对待测芯片的电路进行更改，减小了因D |
| 19 | CN205618857U | 一种真空管道的连接结构 | 2016.10.05 | 本实用新型涉及半导体配件领域，尤其涉及一种真空管道的连接结构。应用于连接第一真空管道和第二真空管道， |
| 20 | CN105870192A | 一种3D周围栅极MOS管的制备方法 | 2016.08.17 | 本发明提供一种3D周围栅极MOS管的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成被浅沟槽隔离结构隔离的N型阱与 |
| 21 | CN105759560A | 组合光罩的版图结构及其形成方法、应用方法 | 2016.07.13 | 本发明提供了一种组合光罩的版图结构及其形成方法和应用方法，所述组合光罩的版图结构，包括第一版图和第二 |
| 22 | CN105742250A | 存储结构及其制备方法 | 2016.07.06 | 本发明提供一种存储结构及其制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质 |
| 23 | CN205832411U | 一种脚部防化学品保护罩 | 2016.12.28 | 本实用新型属于化学实验室安全防护用品，具体涉及一种脚部防化学品保护罩。该脚部防化学品保护罩包括曲面罩 |
| 24 | CN205839128U | 反应炉 | 2016.12.28 | 本实用新型提供了一种反应炉，包括：反应腔和气体管路，所述气体管路包含多个喷嘴，所述多个喷嘴设置在所述 |
| 25 | CN205840378U | 一种可收放式便携安全警示锥 | 2016.12.28 | 本实用新型涉及一种可收放式便携安全警示锥，包括固定块、伸缩支撑杆、固定支撑杆、活动连接杆、吸盘和警示 |
| 26 | CN205844661U | 一种可调节度数的防化学护目镜 | 2016.12.28 | 本实用新型涉及一种防化学护目镜，具体涉及一种可调节度数的防化学护目镜。该护目镜包括一个镜框、两个由硬 |
| 27 | CN205841952U | 一种阀门挂牌 | 2016.12.28 | 本实用新型公开了一种阀门挂牌，用于标识管道或设备的阀门的工作状态，包括：一外袋，所述外袋上设有一开口 |
| 28 | CN106249048A | 一种精确测量电阻阻值的方法和系统 | 2016.12.21 | 本发明特别涉及一种精确测量电阻阻值的方法和系统。方法包括以下步骤：在待测试电阻上连续施加多个预设电压 |
| 29 | CN106251908A | 一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法 | 2016.12.21 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性地址与物理地址的对应关系的验证方法，通过对转换的物理地 |
| 30 | CN106229291A | 半导体制备方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种半导体制备方法，所述半导体制备方法提供一基底；在基底的上表面沉积一介质层；在基底的边 |
| 31 | CN106205677A | 一种防止SRAM存储单元的下拉电流降低的电路 | 2016.12.07 | 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种防止SRAM存储单元的下拉电流降低的电路，包括地址侦测模块、负压产 |
| 32 | CN106206454A | 一种形成3D NAND闪存的方法 | 2016.12.07 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种形成3D NAND闪存的方法，先通过1+㏒2N道光罩和刻蚀 |
| 33 | CN106206571A | 双向高阻等离子体保护电路及其制造方法 | 2016.12.07 | 本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种双向高阻等离子体保护电路及其制造方法，本发明的保护电路采 |
| 34 | CN106206350A | 一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法及系统 | 2016.12.07 | 本发明特别涉及一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法及系统。方法包括如下步骤：在键合完成的晶圆上选 |
| 35 | CN106601645A | 一种测试结构及其布设方法 | 2017.04.26 | 本发明涉及半导体测试技术，尤其涉及一种测试结构及其布设方法，设置n个焊盘并于每个焊盘底部设置一个下部 |
| 36 | CN106597096A | 一种时钟频率监测方法 | 2017.04.26 | 本发明提供一种时钟频率监测方法，属于半导体设计及制造技术领域，适用于对低频时钟的频率进行检测，以低频 |
| 37 | CN106601749A | 一种闪存单元结构及分立栅快闪存储器 | 2017.04.26 | 本发明涉及存储器设计领域，尤其涉及一种闪存单元结构及分立栅快闪存储器，该闪存单元结构包括半导体衬底、 |
| 38 | CN106596225A | 制备透射电镜样品的方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种制备透射电镜样品的方法，包括：提供待观测芯片，所述待观测芯片包含一待观测区域；对所述 |
| 39 | CN106603074A | 一种DAC电路并行测试系统及并行测试方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种DAC电路并行测试系统及并行测试方法，所述的测试系统包括自动测试机ATE和安装于测试 |
| 40 | CN106597035A | 一种纳米探针及纳米探针测试仪 | 2017.04.26 | 本发明涉及一种纳米探针及纳米探针测试仪，包括针臂，所述针臂的一端用于连接测试仪，另一端设置有用于同时 |
| 41 | CN106601292A | 非易失性存储器件及其编程方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种非易失性存储器件及其编程方法，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列、编程电压产生器、 |
| 42 | CN106601306A | 一种提升闪存芯片性能的方法 | 2017.04.26 | 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种提升闪存芯片性能的方法，包括：以一第二擦除参考电流为标准对每个扇区 |
| 43 | CN106596226A | 三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种三维MOS存储芯片的样品制备方法及样品观测方法，所述芯片上包含失效地址、第一参考点和 |
| 44 | CN106601764A | 一种CMOS图像传感器 | 2017.04.26 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种CMOS图像传感器，通过设置位于金属栅格上表面的硬掩膜和位 |
| 45 | CN106601644A | 一种对闪存单元收缩验证方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种对闪存单元收缩验证方法，应用于芯片版图中对闪存单元的收缩处理，芯片版图包括多个原闪存 |
| 46 | CN106596609A | 一种制作透射电镜样品的方法 | 2017.04.26 | 本发明提供了一种制作透射电镜样品的方法，其中，提供一待观测硅片，待观测硅片中包括一失效点，包括以下步 |
| 47 | CN206105711U | 一种扳手 | 2017.04.19 | 本实用新型提供了一种扳手，用于卡箍的安装和拆卸，包括本体及手柄，所述本体上设置有用于给所述卡箍施力的 |
| 48 | CN206116372U | 一种防止晶圆粘合时滑片的卡盘 | 2017.04.19 | 本实用新型涉及晶圆粘合加工领域，具体涉及一种防止晶圆粘合时滑片的卡盘。其包括卡盘本体，所述卡盘本体的 |
| 49 | CN104198241B | 一种制备TEM样品的方法 | 2017.04.05 | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种制备TEM样品的方法，通过在获取失效芯片的失效点位置以及非 |
| 50 | CN206076210U | 一种液态化学品温控供应系统及晶圆刻蚀清洗设备 | 2017.04.05 | 本实用新型涉及一种液态化学品温控供应系统，包括至少一个化学品储存室和至少一个反应腔，每个化学品储存室 |
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